Semiconductor Science And Technology

The scope of the journal covers fundamental and applied experimental and theoretical studies of the properties of non-organic, organic and oxide semiconductors, their interfaces and devices, including:

fundamental properties

materials and nanostructures

devices and applications

fabrication and processing

new analytical techniques

simulation

emerging fields:

materials and devices for quantum technologies

hybrid structures and devices

2D and topological materials

metamaterials

semiconductors for energy

flexible electronics.

中文简介Magazine introduction

致力于半导体研究，Semiconductor Science and Technology 的多学科方法反映了这一主题的深远性质。

期刊的范围涵盖非有机、有机和氧化物半导体的特性、它们的界面和器件的基础和应用实验和理论研究，包括：

基本属性

材料和纳米结构

设备和应用程序

制造和加工

新的分析技术

模拟

新兴领域：

用于量子技术的材料和设备

混合结构和设备

二维和拓扑材料

超材料

用于能源的半导体

柔性电子产品。

期刊简述Magazine introduction

Semiconductor Science And Technology创刊于1986年，由IOP PUBLISHING LTD出版商出版，收稿方向涵盖工程技术 - 材料科学：综合全领域，此期刊水平偏中等偏靠后，在所属细分领域中专业影响力一般，过审相对较易，如果您文章质量佳，选择此期刊，发表机率较高。平均审稿速度一般,3-6周，影响因子指数1.900，该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单，广大学者值得一试。

中科院分区Magazine introduction

大类学科	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合	4区	是	是

名词解释：
中科院分区也叫中科院JCR分区，基础版分为13个大类学科，然后按照各类期刊影响因子分别将每个类别分为四个区，影响因子5%为1区，6%-20%为2区，21%-50%为3区，其余为4区。

JCR分区Magazine introduction

大类学科	小类学科	分区
工程技术	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合	4区

名词解释：
JCR没有设置大类，只分为176个具体学科，按当期（1年）的影响因子进行分区；JCR是按照“平均主义”思想，根据刊物IF的高至低平均划分4个区，每个区含有该领域总量25%的期刊。中科院的分区如同社会阶层的金字塔结构，1区只有5%的顶级期刊， 2~4区期刊数量也逐层增加,所以中科院的1区和2区杂志很少，杂志质量相对也高，基本都是本领域的顶级期刊。

期刊名称	领域	中科院分区	影响因子
Applicable Algebra In Engineering Communication And Computing	工程技术	4区	0.700
Revista Romana De Materiale-romanian Journal Of Materials	工程技术	4区	0.700
Lasers In Engineering	工程技术	4区	0.500
Science And Technology For The Built Environment	工程技术	4区	1.900
Numerical Heat Transfer Part B-fundamentals	工程技术	4区	1.000
Numerical Heat Transfer Part B-fundamentals	工程技术	4区	1.000